美國(guó)模擬器件公司（ADI）日前開發(fā)成功了可承受電壓達(dá)30V、設(shè)計(jì)規(guī)格為0.6μm的超微細(xì)半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)名為“iCMOS工藝技術(shù)”。主要用于生產(chǎn)面向需要承受高電壓的產(chǎn)業(yè)設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備等的模擬IC。

此前，生產(chǎn)可承受30V高壓的模擬IC芯片，需要采用設(shè)計(jì)規(guī)格為1μm～3μm的Bipolar-CMOS技術(shù)。而采用此次的iCMOS工藝技術(shù)，與此前相比可減少耗電、減小芯片面積，還可實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行等。因?yàn)榫哂幸陨蟽?yōu)良性 能，ADI計(jì)劃在面向產(chǎn)業(yè)設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備的模擬IC生產(chǎn)領(lǐng)域，全面推進(jìn)由此前的Bipolar-CMOS技術(shù)向iCMOS工藝技術(shù)的過渡。還同時(shí)宣布采用該技術(shù)生產(chǎn)15種產(chǎn)品。

該公司在發(fā)表iCMOS工藝技術(shù)的同時(shí)，還宣布將采用該技術(shù)生產(chǎn)15種模擬IC產(chǎn)品。包括運(yùn)算放大器、A-D轉(zhuǎn)換器、D-A轉(zhuǎn)換器、轉(zhuǎn)換器和多路復(fù)用器等。每款產(chǎn)品都在±5V或±15V等高電壓下運(yùn)行。

因?yàn)閕CMOS工藝技術(shù)為0.6μm的微細(xì)設(shè)計(jì)規(guī)格，所以不僅可減小芯片面積、對(duì)外圍電路進(jìn)行集成，截止頻率fT也高達(dá)1GHz。比如說，采用iCMOS技術(shù)制造的A-D轉(zhuǎn)換器與同類產(chǎn)品相比，耗電量可減少25%～40%，成形速度也可達(dá)此前的5倍左右。

目前，半導(dǎo)體業(yè)界的技術(shù)開發(fā)出現(xiàn)了面向數(shù)字家電一邊倒的有趣現(xiàn)象。不過，ADI表示：“我們一貫重視面向產(chǎn)業(yè)設(shè)備的耐高壓模擬IC的技術(shù)開發(fā)，今后仍將繼續(xù)努力”（該公司PrecisionConverters生產(chǎn)線主任MikeBritchfield）。ADI還計(jì)劃根據(jù)市場(chǎng)需求，將iCMOS工藝技術(shù)應(yīng)用到面向特定用途的半導(dǎo)體產(chǎn)品（ASSP：ApplicationSpecificStandard Product）的生產(chǎn)中。不過，目前還沒有接受采用iCMOS工藝技術(shù)的定制IC的訂貨計(jì)劃。

采用iCMOS工藝技術(shù)的新產(chǎn)品（部分）如下：D-A轉(zhuǎn)換器IC“AD5764”——輸入數(shù)字信號(hào)的分解能力為16位，輸出信號(hào)的電壓范圍為±10V。A-D轉(zhuǎn)換器IC“AD7328”——輸入信號(hào)的分解能力為12位，量子化分解能力為12位。運(yùn)算放大器“AD8661”——最大可增壓至16V（±8V）運(yùn)行。轉(zhuǎn)換器和多路復(fù)用器“ADG12xx”——每個(gè)磁道容量為2pF，最大導(dǎo)通電阻僅為5Ω。